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  • 等離子沉積設(shè)備
    等離子沉積設(shè)備

    簡要描述:等離子沉積設(shè)備低刻蝕速率,高擊穿電壓,低應(yīng)力、不損傷襯底以及在低于100#176;C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度,使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。

    更新時(shí)間:2024-10-10
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